◆ 概述
KMP C7310系列紫外正性光刻膠具有高感光度、高產(chǎn)出率、高分辨率及良好的工藝寬容度。專為I線曝光優(yōu)化，可廣泛應(yīng)用于0.5μm以上分辨的集成電路制造及相關(guān)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。
◆ 產(chǎn)品規(guī)格
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Viscosity（粘度） |
mPa.s |
9.5±1.0 |
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Trace metals（痕量金屬離子） |
ppb |
Ca、Cr、Fe≤30； Cu、Ni、K、Na、Pb、Zn≤20 |
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Particles（顆粒，≥0.3μm） |
cts/ml |
≤20 |
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Water（水分） |
% |
≤0.5 |
◆ 參考工藝條件
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Prime（預(yù)處理） |
HMDS，100℃，40s |
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Soft Bake（前烘） |
90℃，60s |
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Exposure（曝光） |
I-line |
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Post Exposure Bake（中烘） |
115℃，60s |
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Develop（顯影） |
23℃，60s，Puddle |
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Hard Bake（后烘） |
110℃，60s |
供應(yīng)商參考報(bào)價：面議
太陽能光伏：
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