1.什么是功率循環(huán)試驗(yàn)

功率循環(huán)試驗(yàn)（簡(jiǎn)稱(chēng)PC）是用于考核功率器件封裝可靠性的試驗(yàn)之一，近年來(lái)，新能源汽車(chē)的發(fā)展迅速，相關(guān)的功率器件也得到了快速的發(fā)展，特別是絕緣柵雙極型晶體管（insulated gate bipolar Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)IGBT），在新能源汽車(chē)，高鐵，家用電器等設(shè)備中一直處于核心部件的位置，除了IGBT，還有寬禁帶器件（有SIC MOSFET 以及GaN 等），因其高擊穿場(chǎng)強(qiáng)，高工作結(jié)溫和高開(kāi)關(guān)頻率的特點(diǎn)，在新能源汽車(chē)領(lǐng)域得到了巨大的青睞。所以功率循環(huán)測(cè)試也成為了各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域?qū)@些功率芯片測(cè)試的主要測(cè)試試驗(yàn)，用于確認(rèn)來(lái)料的IGBT/SIC MOSFET/GaN等功率器件的可靠性，從而確認(rèn)實(shí)際產(chǎn)品的安全性和質(zhì)量保證。

2.功率器件如何來(lái)做這個(gè)試驗(yàn)？

其測(cè)試是通過(guò)設(shè)備供電至老化板或者測(cè)試板上，對(duì)每個(gè)板上的功率器件施加負(fù)載電流，通過(guò)電流的開(kāi)通和斷開(kāi)來(lái)模擬功率器件在實(shí)際的使用過(guò)程中所產(chǎn)生的結(jié)溫變動(dòng)的情況，同時(shí)在測(cè)試的過(guò)程中，通過(guò)施加一定的老化加速測(cè)試條件使功率器件的問(wèn)題提前暴露。這種測(cè)試的方法是評(píng)估功率器件封裝可靠性***重要的測(cè)試。

3.有哪些測(cè)試技術(shù)和方法？

測(cè)試技術(shù)方面，主要包括：電氣測(cè)量噪聲，結(jié)溫延時(shí)和數(shù)據(jù)采集點(diǎn)。測(cè)試方法主要有結(jié)溫測(cè)試，電流激勵(lì)等測(cè)試方式，其中電流激勵(lì)配合高溫沖擊的方案是***為有效的失效性測(cè)試的方式

5.目前的難點(diǎn)在哪里？

目前測(cè)試難度在于，其測(cè)試的電流電壓過(guò)大，很難找到對(duì)應(yīng)的大電流高電壓的老化測(cè)試座，這樣對(duì)于批量自動(dòng)化測(cè)試帶來(lái)了很大的難度，目前大部分測(cè)試還是依賴(lài)于直接焊接至老化板上進(jìn)行測(cè)試，但是這種方案問(wèn)題在于，大批量的測(cè)試比較難實(shí)現(xiàn)，大批量的老化板和焊接，成本又會(huì)很高，所以不是很經(jīng)濟(jì)。這個(gè)自動(dòng)化測(cè)試座的開(kāi)發(fā)問(wèn)題是亟待解決的。

另外，關(guān)于標(biāo)準(zhǔn)方面，目前IEC,ECPE等國(guó)際機(jī)構(gòu)均有了相關(guān)的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，大家有興趣可以了解下。